背景及概述[1]

硅烷偶联剂是对有机聚合物和无机材料具有化学结合能力的硅烷或其他硅化合物。化学通式为R

n

SiX

4-n

。R为有机官能团(乙烯基、氨基、环氧基等)，与有机聚合物反应；X为易水解基团，与无机材料(玻璃、无机填料、金属、金属氧化物)表面反应，从而起到偶联作用。一般预先配成适当浓度(1%～3%)的水溶液，在合适的pH值下，使其充分水解，形成稳定性较好的溶液，然后浸涂在无机材料表面。

溶液需随配随用，不得存放太久。也可添加在树脂中，通过“迁移”作用达到偶联效果，用量一般不超过树脂重量的1%。双（叔丁基氨基）硅烷是（BTBAS）硅烷偶联剂的一种，BTBAS是化学蒸气液体化学的前躯体，可沉积均匀的氮化硅。

应用[2-4]

用于制备氮化硅薄膜。

氮化物薄膜用于许多不同的应用。但是，满足特定应用的问题是多变的并可能比较复杂。例如，回到半导体器件，对于特定器件的有利功能，许多不同的性能是重要的。对于制造特定的器件有许多竞争考虑。有研究提供一种在重复退火之后继续显示出希望的高应力的材料。

可以通过下列因素中的两种或多种来控制由薄膜(例如，RTCVD氮化物薄膜)提供的应力：用于制造薄膜的起始材料前体(例如，以任意组合包含Si、C和N的化合物，优选，BTBAS)；用来处理起始材料前体的处理材料(例如，含氮前体，优选，适合于形成氮化物薄膜的材料，最优选NH3)；起始材料前体与处理材料的比率；薄膜生长的CVD条件(例如，RTCVD条件)；和/或薄膜生长的厚度。

制造高应力氮化物薄膜的方法包括：在快速热化学气相淀积(RTCVD)条件、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)条件或低压化学气相淀积(LPCVD)条件下，使以任意组合包括Si、N和C的化合物(这种化合物优选是无氯化合物)与NH3反应，其中由该反应步骤形成的高应力薄膜具有超过+10G dynes/cm2的应力。

用于上述方法的一些可....