近年来， 半导体技术飞跃发展， 用作溅射膜的钽的需求量逐渐增加。在集成电路中， 钽作为扩散阻挡层置于在硅和铜导体之间。 钽溅射靶的生产方法包括锭冶金（I/M )法和粉末冶金（P/M )法。 较低要求的钽靶一般选用钽锭制成。 但在某些较高要求的情况下 I/M法不能使用， 只能用粉末冶金法生产担 。 例如， I/M法不能生产合金靶， 这是因为钽和硅的熔点不同， 及硅化合物的韧性低等原因。

靶的性能直接影响到溅射膜的性能。 在膜的形成中不能存在对半导体装置有污染的物质。在溅射膜形成时， 钽（合金、 化合物）靶中若有杂质存在，则在溅射腔内会引入杂质，导致粗大的粒子附在基片上，使薄膜回路发生短路。同时，杂质也会成为薄膜中突起物粒子增多的原因。特别地， 靶中存在的气体氧、 碳、 氢、 氮等杂质更加有害，因为它们会引起异常放电，使形成的膜的均匀性出现问题。另外，对于粉末冶金方法，沉积膜的均匀性与靶中的晶粒尺寸成函数关系，靶中的晶粒越细， 得到的膜越均匀。因此，现有技术中存在对于高品质钽粉和钽靶的需要。

因此，为了得到高品质钽粉和钽靶，必须首先降低钽粉中的杂质含量，提高钽粉的纯度。 然而，众所周知，虽然金属钽性能比较稳 定，但是粒径比较细的金属钽粉末比较活泼，....