背景及概述[1][2]

硅化物是制备大规模集成电路的关键材料，用它可以作电路的欧姆接触、肖特基势垒和电极引线，超大规模集成电路结深很浅，如64 兆位的超大规模集成电路的PN 结深度浅到200nm ，在如此浅结表面用常规的方法制备电极引线，经常导致PN 结穿通，使电路失效，为此则需要制备薄层硅化物，其中硅化钒是一种最好的选择。近年来，随着高速集成电路发展的要求，制备金属基三极管(MBT)和穿通三极管(PBT)的要求出现，离子注入合成薄层硅化物成了新的热点，但是用常规离子注入机注入合成硅化物，由于引出金属离子种类少，束流弱，效率低。

有研究采用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源进行离子注入，克服了上述困难，提高了注入效率，拓宽了应用范围，取得了满意的结果，开辟了合成薄层硅化物的新途径。清华大学的柳百新教授在该方面的研究也取得了丰硕的成果，这方面的研究，我国处于国际先进地位。特别是MEVVA 离子源还可以提供直径达到1 米的束斑，更适合于现大直径的超大规模集成电路微细加工的需要。

结构

应用[2-7]

制备硅化钒薄膜。用大束流密度的钒金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随束流密度的增加，硅化钒相生长，薄层硅化物的方块电阻RS 明显下降，当束流密度为25μA/cm2 时，Rs 达到最小值22Ψ，说明连续的硅化物已经形成。X 衍射分析表明，注入层中形成了V3Si 、V5Si3 、V3Si5 和VSi2....