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了解磷化铟的发展史
磷化铟（InP）是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继Si、GaAs之后的新一代电子功能材料。磷化铟具有许多优点，直接跃迁型能带结构，高的电光转换效率和电子迁移率，易于制成半绝缘片材料，适合制作高频微波器件和电路，工作温度高，具有强的抗辐射能力，作为太阳能电池材料转换效率高等。这些特征决定了其扬子巴斯夫在固体发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等民用和军事领域的应用十分广阔。
20世纪50年代末，科学工作者应用水平布里奇曼法、温度梯度法和磁耦合提拉法生长出了磷化铟单晶。1965-1968年Mullin等人第一次用三氧化二硼做液封剂，用LEC法生长出了磷化铟单晶材料，为以....
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